高处不胜寒！
在全球存储巨头为争夺AI时代制高点而激战正酣之际，一位来自中国的重量级“玩家”正式亮出了自己的资本底牌。又一家科技“巨无霸”，即将登陆A股！
上交所官网于12月30日晚间更新信息，显示长鑫科技集团股份有限公司的科创板IPO申请已正式获得受理。这不仅是一次上市，更可能成为改写全球DRAM（动态随机存取存储器）市场格局的关键一步。
隐秘上市的“巨无霸”
长鑫科技计划通过本次上市募集资金295亿元，创下了今年科创板募资纪录，位列近年来科创板IPO融资额历史第二，排名第一的则是中芯国际，募资额为532.3亿元。
根据招股书，募资将主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级以及前瞻技术研究与开发三大项目，这些项目的总投资规模达到345亿元。根据问询函，其余缺口将通过自有资金及银行借款解决。
值得一提的是，长鑫科技是今年科创板推出“预先审阅机制”后，首家采用这一新机制申报上市的公司。该机制旨在保护那些因过早披露业务技术信息和上市计划可能对其生产经营造成重大不利影响的科技型企业。
这一设计借鉴了境外成熟市场（例如港交所）的“秘密递交”制度，旨在减轻科技型企业在上市筹备阶段因过早披露敏感信息可能面临的竞争风险。对于长鑫科技这类处于技术攻坚关键期的企业，这一机制提供了更好的信息安全保障。
长鑫科技的股东阵容十分强大，包括国家集成电路产业投资基金二期（大基金二期）、安徽省投、阿里巴巴、腾讯等知名机构。公司目前无控股股东，第一大股东合肥清辉集电企业管理合伙企业持有公司21.67%的股份。
长鑫科技董事长朱一明同时是A股存储龙头兆易创新的董事长，兆易创新由朱一明2005年从美国硅谷归国创办，目前A股最新市值达1470亿元，据悉，该公司亦在筹备港股二次上市。
两家公司之间的关联非常紧密：兆易创新也持有长鑫科技1.88%的股份。两家公司在供应链端存在深度合作，这种布局有助于产业链协同发展。
技术底气与财务现实
长鑫科技并非无名之辈，而是中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。DRAM，即动态随机存取存储器，是手机、电脑、服务器等电子设备中不可或缺的内存芯片。根据知名市场研究机构Omdia的数据，按照产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
公司产品覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。
辉煌的技术地位背后，是同样惊人的资金投入与尚在爬坡的盈利现实。招股书披露，长鑫科技2025年1-9月营收达320.84亿元，2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元。尽管营收增长迅速，但长鑫科技目前仍处于亏损状态。这主要是由于芯片行业需要持续巨大的研发投入。2022年至2025年上半年，长鑫科技累计研发投入高达约188亿元，占同期累计营业收入的33.11%。
2025年上半年，长鑫科技的研发费用率达到23.71%，远高于行业平均的10.37%，也明显高于国际DRAM巨头三星电子、SK海力士、美光同期的研发费用率11.74%、7.39%、10.66%。这种“不计成本”的投入带来了技术的快速迭代。2024年底以来，长鑫科技已停止生产自有品牌DDR4产品，将产能全面转向DDR5等新一代产品。
机遇窗口与严峻挑战
曙光，很可能就在前头：当前，全球存储市场正处于重要转型期。随着人工智能需求的爆发，三星、SK海力士等国际存储巨头将产能重心转向HBM（高带宽内存），导致常规DRAM产能紧缺，价格持续上涨。这一市场变化为长鑫科技带来了发展机遇。
2025年第三季度，长鑫科技的综合毛利率已回升至35%。2025年第三季度，公司实现营业收入166.46亿元，同比增长148.80%，环比增长78.85%。2025年前三季度，公司实现营业收入320.84亿元，同比增长97.79%。
2025年第三季度，公司归母净亏损为29.48亿元，扣非归母净利润13.24亿元，首次实现扣非后的单季度盈利。公司预计2025年全年营收最高将达580亿元，扭亏为盈的同时均将出现翻倍增长。净利润将转正，达到20亿元至35亿元。
长鑫存储作为中国规模最大、技术最先进的DRAM研发制造一体化企业，已完成从DDR4到DDR5、LPDDR4X到LPDDR5X的技术迭代。 其最新DDR5产品最高速率达8000Mbps，LPDDR5X速率更高达10667Mbps。
这些技术突破使国产存储芯片在中低端市场快速实现替代，在高端市场逐步突破。表明中国存储企业已从被动跟随者转变为具备技术突破、产能供给和产业链协同能力的核心参与者。
不过长鑫科技现在需要快速提升自己的市占率：按2025年第二季度DRAM销售额计算，其在全球DRAM市场中的份额为3.97%，而根据Counterpoint数据，今年第三季度，长鑫存储以5%的市场份额排名第四；南亚科技的市占率则环比从1%提高到了2%。与三星、SK海力士、美光三家占据90%以上份额的格局相比，长鑫科技仍有巨大的追赶空间。
对于存储芯片涨价行情能持续多久，业内观点不一，但相当一部分声音认为，高景气度至少将延续至2026年。
TrendForce集邦咨询预计，2026年DRAM均价将同比增长58%，且这一预估还相对保守。 回顾上一轮存储周期（2016-2018年），价格连续上涨了8-9个季度，而业内认为本轮周期的持续时间有望比上一轮更长。
一些客户已开始洽谈2027年的供货协议，表明市场对长期供应紧张的担忧。 存储巨头SK海力士指出，当前DRAM供应商库存已达最低水平，缺货情况可能持续到2028年。不过，也有观点认为当前涨价存在一定的“复苏幻象”，中国电子报援引专家表示，2026年第一季度可能成为本轮上行周期的终结点。
需要指出的是，目前的市场高景气确实是一个特殊且复杂的“超级周期”，不能简单套用过去的经验判断。而国际巨头看似矛盾的行为（“限制产能”与“激进扩产”并存），恰恰反映了行业结构的深刻变革，这就使得长鑫科技正身处机遇与挑战的风暴眼。
首先，国际巨头确实在“限制产能”，但对象是DDR4这样的传统制程，其战略重心是 “不惜代价”转向DDR5/HBM这样的高端产品。这种看似“谨慎”的行为，实则是最激进的产能竞赛，并带来了两大关键瓶颈。
首先是技术瓶颈：生产HBM和先进DDR5需要极复杂的堆叠工艺和更先进的制程，技术壁垒极高，导致产能转换困难且缓慢。而在物理瓶颈方面，洁净室等核心基础设施的建设成为硬约束。HBM生产需要消耗数倍于传统DRAM的洁净室空间，能承建顶级半导体洁净室的、具有特定技术和经验的高级工程能力与供应链资源有限，导致新产能建设周期长达数年，无法快速满足需求。资料显示，从洁净室建成到全面投产，规划周期可超过2年。
因此，巨头们并非“怕重蹈覆辙”而不扩产，而是被技术和物理瓶颈锁死，想快也快不了。这给长鑫科技留下了宝贵的时间窗口。
巨头们转向HBM，导致主流DDR5供应持续紧张。长鑫科技已全面转向DDR5/LPDDR5X，正可直接切入这一利润丰厚且供不应求的市场。享受“产能刚性”红利：由于产能扩张的物理周期很长，即使长鑫科技成功扩产，根据上文分析，在2027-2028年新产能大规模释放前，市场供不应求的局面很可能持续，为其提供了消化产能、提升良率、积累客户的时间。
但任何时间窗口都是有限度的：上市后，市场对其要求将从“技术突破”转向“持续盈利”。公司面临巨额折旧（每年超百亿）和高强度研发投入的双重压力。正如招股书提示，若产品价格或出货量不及预期，可能在2026年仍无法盈利。
与此同时，公司还面临技术与专利的“隐形高墙”。在DDR5领域追赶已属不易，而真正的未来制高点——HBM（高带宽内存），技术壁垒更高，且被巨头以专利严密布局。长鑫能否突破，是其能否参与下一轮高端竞争的关键。
尾声
随着AI算力需求持续增长，国际存储巨头将产能转向利润更高的HBM内存，导致常规DRAM供应紧张。这一市场变化为长鑫科技带来了发展机遇，其DDR5产品已成为缓解市场“缺货”、平抑成本的关键变量。
长鑫科技的上市只是一个开始，如何将技术优势转化为持续盈利能力，在全球市场中争取更大份额，才是它将要面临的真正考验。
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